Lunes, 14 de marzo de 2005
Determinación de la anchura energética de la banda prohibida de una muestra semiconductora de Germanio intrínseco.
Hoy hemos tenido prácticas de fundamentos físicos de la informática.
Y Andres se ha dedicado a echar unas cuantas fotos.
Nuestra práctica en cuestión no ha sido del todo difícil. Yo creía que iba a serlo pero estaba equivocado.
Consiste en calentar el Ge por medio de una corriente hasta que alcance una temperatura de 80ºC y a partir de ese momento empezar a tomar valores de la tensión (V) e intensidad (I). Resultaba muy curioso porque este semiconductor cuanto más caliente está mayor es la intensidad. A medida que se va enfriando la intensidad va disminuyendo y aumentando el voltaje. La explicación que nos ha dado el profesor es que capa de valencia del Ge tiene tendencia a desplazar electrones hacia la capa de conductividad y la distancia entre ellas no es muy grande con lo cual al calentarlo los electrones tienen suficiente espacio para moverse y conducir mejor la electricidad.
El cuaderno de prácticas por si queréis saber en mas profundidad de lo que tratan las prácticas estan en esta dirección:
http://www.us.es/dfisap1/ffi/prac_ffis.pdf
Ahora os dejo las fotos:
El germanio.

Fuente de alimentacion y resistencia.



Javier y Jorge,con su práctica sobre refracción de microondas. Utilizan el osciloscopio para ver la refracción de la onda. Dentro de un año seguramente estén en el CERN.

Por: José María Calvillo Gallardo | Física | Comentarios (0) | Referencias (0)
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